電阻測量和監控對于任何使用導電薄膜的行業都至關重要，從半導體制造到可穿戴技術所需的柔性電子產品。R50薄膜電阻測試儀(四探針、電渦流)在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測均進行了優化加強。

1.薄膜電阻測試儀四點探針法（4PP）

四個導電探針以可控力接觸導電層表面，被測導電層和襯底之間有非導電層擋層。標準4探針是在兩個外部探針之間施加電流并在兩個內部探針之間測量電壓。測量電阻時，導電層厚度應小于兩個探針之間距離的1/2。

R50薄膜電阻測試儀(四探針、電渦流)開創了雙模技術，該技術允許測量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應動態校正和探針間距誤差補償功能。

2.電渦流法（EC）

線圈施加時變電流以產生時變磁場，該磁場靠近導電表面時，該表面產生感應時變電流（渦流）。這些電渦流也會產生時變磁場，該磁場與探針線圈耦合并產生與樣品的電阻成比例的信號變化。

單個探頭位于樣品頂部，可以動態的調整每個測量點的探頭高度，這對測量的準確性和重復性至關重要。該方法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于接觸法測量的樣品。