高溫電阻測量系統

RMS1000S系列高溫半導體材料電阻率測量系統主要用于半導體材料導電性能的評估和測試，該系統采用四線電阻法測量原理進行設計開發，可以在高溫、真空氣氛的條件下測量半導體材料電阻和電阻率，可以分析被測樣品電阻和電阻率隨溫度、時間變化的曲線。

目前主要針對圓片、方塊、長條等測試樣品進行測試，廣泛用于半導體材料硅(si)、鍺(ge)、化合物半導體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)三元化合物半導體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測量。

高溫電阻測量系統功能特點

2 針對性質不同的材料開發相應的測試系統

2 多種保護措施，確保測試安全

2 溫度范圍廣：RT～600℃/1000℃

2 可實現惰性、氧化、還原、真空等多種氣氛測量

2 樣品壓力大0.25N，保證測量過程不損壞樣品

2 上電極半球狀+下電極平板狀設計，可以精確定位測量被測樣品某一點

半導體材料-2W法

半導體2W法計算公式

ρ=RS/L=Vs/IL

ρ =以厘米-歐姆為單位的電阻率

V =加載樣品上的電壓或電壓源輸出電壓

l =表示流過樣品的電流或電流源輸出電流

L =表示樣品的厚度

S =表示樣品橫截面積